5G 인프라 확대와 빠르게 진화하는 소비자 가전으로 인해 2030 년까지 10.73 억 달러에이를 GaN 반도체 장치 시장

GaN 반도체 디바이스 시장 범위 징크스디플68 개요

SNS Insider 보고서에 따르면, GaN 반도체 소자 시장은 2022년에 21억 7천만 달러의 가치를 기록했습니다. 2023년부터 2030년까지 22.1%의 연평균 성장률(CAGR)을 기록하며 견조한 성장세를 보일 것으로 예상되며, 궁극적으로 2030년에는 시장 가치가 107억 3천만 달러에 달할 것으로 전망됩니다. GaN 반도체 디바이스 시장은 다양한 산업 분야에서 고성능의 에너지 효율적인 솔루션에 대한 수요 증가에 부응하는 여러 요인의 융합에 의해 추진되고 있습니다.

반도체 기술의 역동적인 환경에서 질화갈륨(GaN)은 획기적인 재료로 부상하여 전자 장치를 효율성, 전력, 소형화의 새로운 영역으로 이끌고 있습니다. GaN 반도체 디바이스는 기존 실리콘 기반 부품에서 획기적인 도약을 이루었으며, 소비자 가전부터 첨단 전력 시스템 등 다양한 산업의 미래를 형성하는 비할 데 없는 성능 이점을 제공합니다. GaN이 기존 실리콘 반도체와 차별화되는 점은 뛰어난 전자 이동도와 넓은 밴드갭입니다.

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GaN 반도체 장치 시장 보고서에서 다루는 주요 업체는 다음과 같습니다:

오스람 옵토 반도체, 파나소닉 반도체, 텍사스 인스트루먼트, RF 마이크로 디바이스 코퍼레이션, 크리 인코퍼레이티드, 도시바, 에이스트론 SE, 인피니언 테크놀로지스, 갤리아 반도체, 로옴 주식회사, 후지쯔 주식회사, NXP 반도체, 코닌클리제 필립스 N.V., 니치아 주식회사, 코르보, 기타.

시장 분석

GaN 반도체 소자 시장은 산업을 재편하고 혁신을 주도하는 여러 요인의 융합으로 인해 견고한 성장을 경험하고 있습니다. 전 세계적으로 5G 네트워크가 출시되면서 통신 부문에서 GaN 디바이스에 대한 수요가 증가하고 있습니다. GaN은 더 높은 주파수에서 작동할 수 있기 때문에 고속 데이터를 효율적으로 전송하고 5G 네트워크의 증가된 대역폭 요구 사항을 실현할 수 있습니다. 더 빠르고 안정적인 연결에 대한 수요가 증가함에 따라 GaN 기술은 5G 인프라를 발전시키는 데 중추적인 요소가 되고 있습니다. 더 작고 강력하며 에너지 효율적인 전자 기기에 대한 수요는 계속 증가하고 있습니다. GaN 기술은 노트북, 스마트폰, 웨어러블 및 기타 가전제품을 위한 소형 전원 어댑터, 고속 충전기, 전원 관리 솔루션의 개발을 용이하게 합니다. GaN 디바이스가 제공하는 충전 속도 향상과 폼 팩터 감소는 편의성과 휴대성을 선호하는 소비자의 선호도에 부합합니다.

GaN 반도체 소자 시장 세분화는 다음과 같습니다:

유형별
고갈 모드
캐스코드 모드
GaN 무선 주파수 장치
광 반도체
전력 반도체
RF 반도체

웨이퍼 크기별
2"
4"
6"
8"

부품별
트랜지스터
다이오드
정류기
전력 IC
기타

애플리케이션별
신호
전력
통신
소비자 가전
자동차
군사 징크스디플68 국방
의료
조명 및 레이저
소모품 및 인버터
무선 주파수
기타

지역별/국가별 세분화:
북미
유럽
중국
일본
아시아 기타

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불황의 영향

경기 침체는 의심할 여지 없이 GaN 반도체 소자 시장에 도전이 될 수 있지만, 그 영향의 정도는 경기 침체의 심각성과 지속 기간, 정부 정책, 업계의 적응력 등 다양한 요인에 따라 달라집니다. GaN 생태계에 속한 기업들은 민첩성을 유지하고, 애플리케이션을 다각화하며, 산업 전반에서 협력하여 이 어려운 시기를 헤쳐 나가고 그 반대편에서 더 강해져야 합니다.

러시아-우크라이나 전쟁의 영향

러시아-우크라이나 전쟁이 GaN 반도체 장치 시장에 미친 영향은 글로벌 산업의 상호 연결성을 강조합니다. 결과는 분쟁의 기간과 강도, 공급망 문제에 대한 제조업체의 적응 능력, 기술 부문 전반의 회복력에 따라 달라집니다. 즉각적인 혼란은 분명할 수 있지만 장기적인 결과는 분쟁으로 인한 복잡성을 탐색하고 그에 따라 전략을 조정하는 업계 플레이어의 능력에 따라 달라질 것입니다.

주요 지역 개발

북미는 탄탄한 연구 개발 생태계와 첨단 기술에 투자하는 수많은 기술 대기업 덕분에 GaN 반도체 디바이스 채택의 선두주자로 남아 있습니다. 반도체 제조 분야에서 뛰어난 역량을 자랑하는 아시아 태평양 지역은 빠르게 GaN 반도체 디바이스 시장의 핵심 플레이어가 되었습니다. 중국, 일본, 한국, 대만과 같은 국가들은 GaN 디바이스를 대규모로 개발하고 제조하기 위한 노력을 강화했습니다. 지속 가능성과 에너지 효율성에 대한 유럽의 노력은 특히 재생 에너지 및 전력 전자 분야에서 GaN 반도체 소자의 채택을 촉진했습니다. 이 지역의 엄격한 에너지 효율 표준으로 인해 태양광 인버터, 풍력 터빈, 전기 자동차 충전소용 전력 변환 시스템에 GaN 디바이스가 통합되었습니다.

GaN 반도체 디바이스 시장 연구의 주요 시사점

- 공핍 모드 세그먼트는 전력 관리 및 신호 증폭에서 비교할 수 없는 이점을 제공하는 GaN 기술에서 중요한 도약을 의미합니다. 작동을 위해 양의 전압이 필요한 강화 모드 디바이스와 달리, 공핍 모드 디바이스는 본질적으로 게이트 전압이 0인 "온" 상태에서 작동합니다.

- GaN 반도체 영역의 트랜지스터 세그먼트는 더 높은 전력 밀도와 향상된 성능을 요구하는 산업에 혁명을 일으킬 준비가 되어 있습니다. GaN 트랜지스터는 더 높은 전압 레벨과 전류 밀도를 처리하는 데 있어 놀라운 성능을 자랑하며, 다양한 애플리케이션에 이상적인 후보로 자리매김하고 있습니다.

GaN 반도체 소자 시장과 관련된 최근 개발 동향

- 첨단 소재 및 혁신 솔루션을 전문으로 하는 선도적인 기술 기업인 트랜스폼(Transphorm)이 국가보안기술가속기(NSTA)로부터 1,500만 달러의 계약을 체결하는 획기적인 발전을 이루었습니다.

- 질화갈륨(GaN) 기술 분야의 선구적인 기업인 트랜스폼은 중국에 최첨단 GaN 응용 연구소를 설립하여 글로벌 입지를 크게 확장한다고 발표했습니다.

목차 - 주요 포인트 분석

1. 소개
2. 연구 방법론
3. 시장 역학
4. 영향 분석
4.1 COVID-19 영향 분석
4.2 우크라이나-러시아 전쟁의 영향
4.3 지속적인 경기 침체가 주요 경제에 미치는 영향
5. 가치 사슬 분석
6. 포터의 5가지 힘 모델
7. 해충 분석
8. 유형별 GaN 반도체 장치 시장 세분화
9. 웨이퍼 크기 별 GaN 반도체 소자 시장 세분화
10. GaN 반도체 소자 시장 세분화, 애플리케이션 별
11. 지역 분석
12. 회사 프로필
13. 경쟁 환경
14. 결론

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